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產品詳情
  • 產品名稱:OTSUKA大冢-分光器FE-5000

  • 產品型號: FE-5000
  • 產品廠商:OTSUKA大塚電子
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簡單介紹:
 FE-5000 OTSUKA大冢-分光器 除了能夠高精度的薄膜解析的分光中,通過實現(xiàn)測量角度的自動可變機構,也對應于所有種類的薄膜。除以往的旋轉檢光子法之外,通過設置相位差版的自動脫穿機構,提高了測定精度。OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000OTSUKA大冢-分光器FE-5000
詳情介紹:
FE-5000

   OTSUKA大冢-分光器

除能夠進行高精度薄膜解析的分光光導儀外,通過安裝測定角度的自動可變機構,也                                                 適用于所有種類的薄膜.。除傳統(tǒng)的旋轉光子法外,還設置了相位差版的自動解吸機                                                   構,提高了測量精度.


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特長。
在紫外可見(250到800 nm)波長范圍內進行光導參數(shù)測量。
納米計量器等級的多層薄膜的膜厚分析是可能的。
能夠通過400ch以上的多通道分光法快速測定光導頻譜。
反射角可變測量可實現(xiàn)更詳細的薄膜分析。
通過光學常數(shù)的數(shù)據(jù)庫化以及**登錄功能的追加,提高操作性。
通過層膜擬合解析的光學常數(shù)測定,可以進行膜厚·膜質管理。


測量項目。
光導參數(shù)(tanψ、cosΔ)測量。
光學常數(shù)(n:折射率,k:衰退系數(shù))分析。
膜厚的解析。

用途。
半導體晶圓。
柵氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻膠的光學常數(shù)(波長分散)。
化合物半導體。
AlxGa(1-x)As多層膜,非晶硅。
FPD。
取向膜。
等離子體顯示器的ITO,MgO等。
各種新素材。
DLC(Diamond Like Carbon),超導用薄膜,磁頭薄膜。
光學薄膜。
TiO2、SiO2、多層膜、防反射膜、反射膜。
光刻領域。
g射線(436nm),h線(405nm),i線(365nm),KrF(248nm)等各波長的n,k評價



仕 様
型式 FE-5000S FE-5000
測定サンプル 反射測定サンプル
サンプルサイズ 100x100mm 200x200mm
測定方式 回転検光子法*1
測定膜厚範囲(nd) 0.1nm~
入射(反射)角度範囲 45~90° 45~90°
入射(反射)角度駆動方式 自動サインバー駆動方式
入射スポット徑*2 約φ2.0 約φ1.2sup*3
tanψ測定正確さ ±0.01以下
cosΔ測定正確さ ±0.01以下
膜厚の繰り返し再現(xiàn)性 0.01%以下*4
測定波長範囲*5 300~800nm 250~800nm
分光検出器 ポリクロメータ(PDA、CCD)
測定用光源 高安定キセノンランプ*6
ステージ駆動方式 手動 手動/自動
ローダ対応 不可
寸法、重量 650(W)×400(D)×560(H)mm
約50kg
1300(W)×900(D)×1750(H)mm
約350kg*7
ソフトウェア
解析 *小二乗薄膜解析(屈折率モデル関數(shù)、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など)
理論式解析(バルク表面nk解析、角度依存同時解析)

*1 偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2 短軸?角度により異なります。
*3 微小スポット対応(オプション)
*4 VLSIスタンダードSiO2膜(100nm)を用いた場合の値です。
*5 この波長範囲內で選択可能です。
*6 測定波長により光源が異なります。
*7 自動ステージ選択時の値です。



原 理

試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が獨立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。

分光エリプソメータ原理
 

tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長依存スペクトルが測定されます。

FE-5000光學系図


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