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    • 產(chǎn)品詳情

    • 產(chǎn)品名稱(chēng)：SAMCO ICP 蝕刻設(shè)備 RIE-230iP

    • 產(chǎn)品型號(hào)：
    • 產(chǎn)品廠商：SAMCO薩姆肯
    • 產(chǎn)品價(jià)格：0
    • 折扣價(jià)格：0
    • 產(chǎn)品文檔：
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    簡(jiǎn)單介紹：
    RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。
    詳情介紹：

    概述

    RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。 該器件采用獨(dú)特的龍卷風(fēng)線(xiàn)圈電極，可有效產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實(shí)現(xiàn)高精度各向異性蝕刻，如硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體。 此外，φ230mm托盤(pán)可同時(shí)處理多片化合物半導(dǎo)體。

    特點(diǎn)

    采用龍卷風(fēng)型線(xiàn)圈電極

    可以有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，實(shí)現(xiàn)高選擇性比和高精度、均勻性的蝕刻。

    低傷害過(guò)程是可能的

    ICP 的高密度等離子體生成可實(shí)現(xiàn)低偏置、低損傷的過(guò)程。

    溫度控制

    ESC 和 He 對(duì)舞臺(tái)進(jìn)行冷卻，并控制反應(yīng)室側(cè)壁的溫度，從而在穩(wěn)定條件下進(jìn)行蝕刻。

    應(yīng)用示例

    ? 高精度加工化合物半導(dǎo)體，如 GaN、GaAs 和 InP

    加工難蝕刻材料，如鐵電和電極材料

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