• 可在紫外可見(jiàn)（300~800nm）波長(zhǎng)范圍內(nèi)測(cè)量橢圓參數(shù)
• 納米級(jí)多層薄膜的厚度分析
• 使用 400ch 或更多多通道光譜快速測(cè)量橢圓光譜
• 通過(guò)可變反射角度測(cè)量支持薄膜的詳細(xì)分析
• 通過(guò)數(shù)據(jù)庫(kù)化光學(xué)常數(shù)和添加配方注冊(cè)功能，提高可操作性

• 橢圓參數(shù)（tan= 、cosΔ）測(cè)量
• 光學(xué)常數(shù) （ n ： 折射率 ， k ： 消光系數(shù) ） 分析
• 厚度分析

• 半導(dǎo)體晶圓
  柵極氧化薄膜、氮化膜
  SiO₂，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃，SiN_xO_y，poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN
  電阻的光學(xué)常數(shù)（波長(zhǎng)色散）
• 化合物半導(dǎo)體
  鋁_xGa_(1-x)As 多層膜，非晶硅
• FPD
  對(duì)準(zhǔn)膜
• 各種新材料
  DLC（Diamond Like Carbon）、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜
• 光學(xué)薄膜
  TiO₂，SiO₂，防反射膜
• 光刻領(lǐng)域
  

• g 線 （436nm）、h 線 （405nm） 、i 線 （365nm） 等各波長(zhǎng)的 n，k 評(píng)價(jià)

類(lèi)型表達(dá)式	FE-5000S	FE-5000
樣本大小	高達(dá) 100x100mm	*大 200x200mm
測(cè)量方法	旋轉(zhuǎn)分析儀*1
測(cè)量膜厚范圍（nd）	0.1nm～1μm
入射（反射）角度范圍	45～90°	45～90°
入射（反射）角度驅(qū)動(dòng)方式	自動(dòng)正弦桿驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
入射點(diǎn)直徑*2	φ2.0	φ1.2sup*3
tanψ測(cè)量精度	±0.01 或更少
cosΔ 測(cè)量精度	±0.01 或更少
薄膜厚度的重復(fù)再現(xiàn)性	0.01% 或更少*4
波長(zhǎng)范圍*5	300～800nm	300～800nm
測(cè)量光源	高穩(wěn)定性 Xenon 燈*6
舞臺(tái)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)	手動(dòng)	手動(dòng)/自動(dòng)
加載器支持	不可以	是
尺寸、重量	650（W)×400（D)×593（H）mm 50kg	1300（W)×890（D)×1750（H）mm 350kg*7

*1 偏振器可驅(qū)動(dòng)，緩速板可拆卸，對(duì)不敏感帶有效。
*2 因短軸和角度而異。
*3 微點(diǎn)對(duì)應(yīng)（可選）
*4 使用 VLSI 標(biāo)準(zhǔn) SiO2 膜 （100nm） 時(shí)的值。
*5 選擇自動(dòng)階段時(shí)的值。